電工電子產品基本環(huán)境試驗規(guī)程--試驗Kb:交變鹽霧試驗方法（氯化鈉溶液）  GB 2423.18—85

一、引言 

　　本標準適用于確定元器件和設備在含鹽的潮濕環(huán)境下使用或貯存的適應性。本標準可以用作腐蝕試驗，也可以檢驗非金屬材料受鹽霧影響而造成的劣化，還可用于考核元器件和設備在鹽霧環(huán)境下的性能變化。

　　鹽分對金屬材料的腐蝕是屬于電化學性的，而對非金屬材料的損壞卻是由鹽分與該材料之間復雜的化學反應所引起的。腐蝕損壞速率在很大程度上取決于試驗樣品表面的含氧鹽溶液和試驗樣品的溫度以及環(huán)境的溫度和濕度。

　　在試驗期間，噴霧時間足以使試驗樣品充分潤濕，而且噴霧還要在試驗樣品濕熱條件下貯存一段時間后重復進行。因此這種試驗方法在某種程度上是模擬天然鹽霧環(huán)境的。

　　本試驗與多數使用條件相比，是加速的。但是它不可能對各種不同類型的樣品具有相同的加速系數（見GB2424.10—81《電工電子產品基本環(huán)境試驗規(guī)程 大氣腐蝕加速試驗的通電導則》）。

　　本試驗由鹽霧和濕熱貯存二種條件組成。試驗樣品在噴霧過程中不通電；在濕熱貯存期間，通常也不通電。 本標準等效采用標準IEC 68—2—52（1984）《試驗Kb：交變鹽霧試驗方法》。

二、試驗設備

鹽霧箱（室）：鹽霧試驗箱（室）必須用耐鹽霧腐蝕和不影響試驗結果的材料制造。鹽霧箱（室）的結構，包括產生鹽霧的方式應能達到下述要求：

1、鹽霧箱（室）的條件應達到規(guī)定的范圍。

2、鹽霧箱（室）應有足夠大的容積，且保持均勻恒定的試驗條件（不受湍流的影響），試驗條件不因放入試驗樣品而受影響。

3、試驗期間鹽霧不得直接噴射到試驗樣品上。

4、鹽霧試驗箱（室）墻壁或其他部位積聚的液滴不得滴在試驗樣品上。

5、為防止箱內壓力升高并保持鹽霧分布均勻，鹽霧箱（室）內應有適當的排氣孔，并應防止排氣孔在箱（室）內壓力升高并保持鹽霧分布均勻，鹽霧箱（室）內應有適當的排氣孔，并應防止排氣孔在箱（室）內產生強氣流……………………